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Modèle arrêté
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantSSRD8620CTT4RG
Code Commande3606230
Fiche technique
Tension inverse crête répétitive200V
Courant direct moyen6A
Configuration diodeDouble anode commune
Tension directe max1.3V
Temps de redressement en inverse75ns
Courant de surtension vers l'avant45A
Température de fonctionnement max..175°C
Type de boîtier de diodeTO-252 (DPAK)
Nbre de broches3 broches
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Aperçu du produit
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Tension inverse crête répétitive
200V
Configuration diode
Double anode commune
Temps de redressement en inverse
75ns
Température de fonctionnement max..
175°C
Nbre de broches
3 broches
Qualification
AEC-Q101
Courant direct moyen
6A
Tension directe max
1.3V
Courant de surtension vers l'avant
45A
Type de boîtier de diode
TO-252 (DPAK)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.1