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10+ | 0,0345 € |
100+ | 0,0259 € |
500+ | 0,0249 € |
1000+ | 0,023 € |
5000+ | 0,0201 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantSMMBD770T1G
Code Commande3368112
Fiche technique
Tension inverse crête répétitive70V
Courant direct moyen200mA
Configuration diodeUne
Type de boîtier de diodeSOT-323
Nbre de broches3Broche(s)
Tension directe max1V
Courant de surtension vers l'avant1A
Température d'utilisation Max.125°C
Type de montage de diodeMontage en surface
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
Spécifications techniques
Tension inverse crête répétitive
70V
Configuration diode
Une
Nbre de broches
3Broche(s)
Courant de surtension vers l'avant
1A
Type de montage de diode
Montage en surface
Qualification
AEC-Q101
Courant direct moyen
200mA
Type de boîtier de diode
SOT-323
Tension directe max
1V
Température d'utilisation Max.
125°C
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits