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Modèle arrêté
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantSMBT35200MT1G
Code Commande3617514
Fiche technique
Polarité transistorPNP
Tension Collecteur Emetteur Max NPN-
Tension Collecteur Emetteur Max PNP35V
Courant de collecteur continu NPN-
Courant de collecteur continu PNP2A
Dissipation de puissance NPN-
Dissipation de puissance PNP1W
Gain de courant DC hFE Min NPN-
Gain de courant DC hFE Min PNP100hFE
Type de boîtier de transistorTSOP
Nbre de broches6Broche(s)
Montage transistorMontage en surface
Température d'utilisation Max.150°C
Fréquence de transition NPN-
Fréquence de transition PNP100MHz
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
Polarité transistor
PNP
Tension Collecteur Emetteur Max PNP
35V
Courant de collecteur continu PNP
2A
Dissipation de puissance PNP
1W
Gain de courant DC hFE Min PNP
100hFE
Nbre de broches
6Broche(s)
Température d'utilisation Max.
150°C
Fréquence de transition PNP
100MHz
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Tension Collecteur Emetteur Max NPN
-
Courant de collecteur continu NPN
-
Dissipation de puissance NPN
-
Gain de courant DC hFE Min NPN
-
Type de boîtier de transistor
TSOP
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition NPN
-
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.1