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SBC847CWT1G
Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,124 € |
| 10+ | 0,0762 € |
| 100+ | 0,0477 € |
| 500+ | 0,0343 € |
| 1000+ | 0,0267 € |
| 5000+ | 0,021 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantSBC847CWT1G
Code Commande3368665
Gamme de produitBC847
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur Emetteur Max45V
Courant Collecteur Continu100mA
Dissipation de puissance200mW
Type de boîtier de transistorSOT-323
Montage transistorMontage en surface
Nombre de broches3Broche(s)
Fréquence de transition100MHz
Gain de courant DC hFE Min420hFE
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produitBC847
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Courant Collecteur Continu
100mA
Type de boîtier de transistor
SOT-323
Nombre de broches
3Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min
420hFE
Gamme de produit
BC847
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Collecteur Emetteur Max
45V
Dissipation de puissance
200mW
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition
100MHz
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits