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NXV65HR82DS2
Transistor MOSFET, Canal N, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXV65HR82DS2
Code Commande3677748
Fiche technique
Type de canalCanal N
Polarité transistorCanal N
Courant de drain Id26A
Tension Vds max..650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.073ohm
Résistance Rds(on)0.073ohm
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance Pd126W
Dissipation de puissance126W
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
26A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.073ohm
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance Pd
126W
Température de fonctionnement max..
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Polarité transistor
Canal N
Tension Vds max..
650V
Résistance Rds(on)
0.073ohm
Tension de seuil Vgs Max
5V
Dissipation de puissance
126W
Gamme de produit
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.5