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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH010P90MNF1PTG
Code Commande3973631
Fiche technique
Configuration du module MOSFETDemi-pont
Type de canalCanal double N
Courant de drain Id154A
Tension Drain-Source Vds900V
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.01003ohm
Type de boîtier de transistorModule
Nbre de broches18Broche(s)
Tension de test Rds(on)15V
Tension de seuil Vgs Max2.74V
Dissipation de puissance328W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Demi-pont
Courant de drain Id
154A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.01003ohm
Nbre de broches
18Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
2.74V
Température d'utilisation Max.
175°C
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Type de canal
Canal double N
Tension Drain-Source Vds
900V
Type de boîtier de transistor
Module
Tension de test Rds(on)
15V
Dissipation de puissance
328W
Gamme de produit
-
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.09
Traçabilité des produits