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NXH006P120MNF2PTG
MOSFET en carbure de silicium, EliteSiC, Demi-pont, Canal N, 304 A, 1.2 kV, 0.00548 ohm, Module
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNXH006P120MNF2PTG
Code Commande3766231
Fiche technique
Configuration du module MOSFETDemi-pont
Type de canalCanal N
Courant de drain Id304A
Tension Drain-Source Vds1.2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.00548ohm
Type de boîtier de transistorModule
Nbre de broches36Broche(s)
Tension de test Rds(on)20V
Tension de seuil Vgs Max2.83V
Dissipation de puissance950W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Demi-pont
Courant de drain Id
304A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.00548ohm
Nbre de broches
36Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
2.83V
Température d'utilisation Max.
175°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
1.2kV
Type de boîtier de transistor
Module
Tension de test Rds(on)
20V
Dissipation de puissance
950W
Gamme de produit
-
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.09
Traçabilité des produits