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NVTJD4001NT1G
MOSFET double, Canal N, 30 V, 30 V, 250 mA, 250 mA, 1 ohm
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| 100+ | 0,109 € |
| 500+ | 0,107 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVTJD4001NT1G
Code Commande2728055
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N30V
Tension drain source Vds, Canal P30V
Courant de drain continu Id, Canal N250mA
Courant de drain continu Id, Canal P250mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N1ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P1ohm
Type de boîtier de transistorSOT-363
Nbre de broches6Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P272mW
Dissipation de puissance, Canal P272mW
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
30V
Courant de drain continu Id, Canal P
250mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
1ohm
Nbre de broches
6Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
272mW
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
30V
Courant de drain continu Id, Canal N
250mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
1ohm
Type de boîtier de transistor
SOT-363
Dissipation de puissance Canal P
272mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NVTJD4001NT1G
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits