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NVMFS5C604NLAFT1G
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 287 A, 0.0012 ohm, ÁDFN, Montage en surface
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| 10+ | 3,900 € |
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| 500+ | 2,770 € |
| 1000+ | 2,620 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVMFS5C604NLAFT1G
Code Commande2760521
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id287A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0012ohm
Type de boîtier de transistorÁDFN
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance200W
Nbre de broches5Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
287A
Type de boîtier de transistor
ÁDFN
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
200W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0012ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nbre de broches
5Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour NVMFS5C604NLAFT1G
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000024
Traçabilité des produits