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NVD5C464NT4G
MOSFET de puissance, Canal N, 40 V, 59 A, 0.0048 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,050 € |
| 10+ | 1,420 € |
| 100+ | 1,100 € |
| 500+ | 0,890 € |
| 1000+ | 0,782 € |
| 5000+ | 0,747 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNVD5C464NT4G
Code Commande2835597
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id59A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0048ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance40W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
59A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
40W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0048ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Vietnam
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Vietnam
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000426
Traçabilité des produits