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NTTFS4H07NTWG.
MOSFET de puissance, Canal N, 25 V, 18.5 A, 4800 µohm, WDFN, Montage en surface
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Modèle arrêté
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTTFS4H07NTWG.
Code Commande3616570
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds25V
Courant de drain Id18.5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON4800µohm
Type de boîtier de transistorWDFN
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.1V
Dissipation de puissance33.8W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
18.5A
Type de boîtier de transistor
WDFN
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
33.8W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Tension Drain-Source Vds
25V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
4800µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.1V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.1
Traçabilité des produits