Imprimer la page
NTTFS4C13NTWG
MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 11.7 A, 0.0094 ohm, WDFN, Montage en surface
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Modèle arrêté
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTTFS4C13NTWG
Code Commande3616564
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id11.7A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0094ohm
Type de boîtier de transistorWDFN
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.1V
Dissipation de puissance21.5W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
11.7A
Type de boîtier de transistor
WDFN
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
21.5W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0094ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.1V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.1