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NTMFS5H600NLT3G
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 250 A, 1100 µohm, ÁDFN, Montage en surface
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 21 semaine(s)
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5000+ | 1,210 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 5000
Multiple: 5000
6 050,00 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTMFS5H600NLT3G
Code Commande3616491
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id250A
Résistance Drain-Source à l'état-ON1100µohm
Type de boîtier de transistorÁDFN
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance160W
Nbre de broches5Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
250A
Type de boîtier de transistor
ÁDFN
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
160W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
1100µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nbre de broches
5Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.1
Traçabilité des produits