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Quantité | Prix (hors TVA) |
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100+ | 0,159 € |
500+ | 0,146 € |
1000+ | 0,123 € |
5000+ | 0,107 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTJD4152PT1G
Code Commande2533191
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain Source Vds, Canal N20V
Tension drain source Vds, Canal P20V
Courant de drain continu Id, Canal N880mA
Courant de drain continu Id, Canal P880mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.215ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.215ohm
Type de boîtier de transistorSOT-363
Nbre de broches6Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P272mW
Dissipation de puissance, Canal P272mW
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Tension drain source Vds, Canal P
20V
Courant de drain continu Id, Canal P
880mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.215ohm
Nbre de broches
6Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
272mW
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
20V
Courant de drain continu Id, Canal N
880mA
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.215ohm
Type de boîtier de transistor
SOT-363
Dissipation de puissance Canal P
272mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000046
Traçabilité des produits