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NTH4LN095N65S3H
MOSFET de puissance, Canal N, 650 V, 30 A, 0.077 ohm, TO-247, Traversant
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTH4LN095N65S3H
Code Commande3677719
Gamme de produitSUPERFET III
Fiche technique
393 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 8,190 € |
| 5+ | 7,070 € |
| 10+ | 5,950 € |
| 50+ | 5,470 € |
| 100+ | 5,010 € |
| 250+ | 4,550 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTH4LN095N65S3H
Code Commande3677719
Gamme de produitSUPERFET III
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds650V
Courant de drain Id30A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.077ohm
Type de boîtier de transistorTO-247
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance208W
Nbre de broches4Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitSUPERFET III
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
30A
Type de boîtier de transistor
TO-247
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
208W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.077ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
4Broche(s)
Gamme de produit
SUPERFET III
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0003
Traçabilité des produits