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NTBS9D0N10MC
MOSFET de puissance, Canal N, 100 V, 60 A, 0.0078 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,160 € |
| 10+ | 1,650 € |
| 100+ | 1,350 € |
| 500+ | 1,240 € |
| 1000+ | 1,030 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBS9D0N10MC
Code Commande3528499
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..100V
Courant de drain Id60A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0078ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance68W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
60A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
68W
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
-
Tension Vds max..
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0078ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0034
Traçabilité des produits