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FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBG020N120SC1
Code Commande3367851RL
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
250 En Stock
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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
10+ | 28,220 € |
50+ | 28,140 € |
100+ | 28,060 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 10
Multiple: 1
287,20 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNTBG020N120SC1
Code Commande3367851RL
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Type de canalCanal N
Courant de drain Id98A
Tension Drain-Source Vds1.2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.02ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Nbre de broches7Broche(s)
Tension de test Rds(on)20V
Tension de seuil Vgs Max2.7V
Dissipation de puissance468W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitEliteSiC Series
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Courant de drain Id
98A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.02ohm
Nbre de broches
7Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
2.7V
Température d'utilisation Max.
175°C
MSL
MSL 1 - Illimité
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
1.2kV
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
20V
Dissipation de puissance
468W
Gamme de produit
EliteSiC Series
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits