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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
6000+ | 0,135 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 6000
Multiple: 6000
810,00 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNSVMMBT6520LT1G
Code Commande3615617
Fiche technique
Polarité transistorPNP
Tension Collecteur Emetteur Max350V
Courant Collecteur Continu500mA
Dissipation de puissance225mW
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Nbre de broches3Broche(s)
Fréquence de transition40MHz
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Polarité transistor
PNP
Courant Collecteur Continu
500mA
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Nbre de broches
3Broche(s)
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Collecteur Emetteur Max
350V
Dissipation de puissance
225mW
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition
40MHz
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.1
Traçabilité des produits