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NSVJ5908DSG5T1G
Transistor JFET, -15 V, 32 mA, -1.5 V, MCPH, 5 broches, 150 °C
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2 690 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 0,505 € |
| 10+ | 0,502 € |
| 100+ | 0,384 € |
| 500+ | 0,341 € |
| 1000+ | 0,304 € |
| 5000+ | 0,267 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNSVJ5908DSG5T1G
Code Commande2981214
Fiche technique
Tension de claquage Source Grille max.-15V
Courant de drain de tension de Grille zéro max.32mA
Tension de coupure Source Grille max.-1.5V
Type de boîtier de transistorMCPH
Nbre de broches5 broches
Température de fonctionnement max..150°C
Type de canalCanal N
Montage transistorMontage en surface
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Tension de claquage Source Grille max.
-15V
Tension de coupure Source Grille max.
-1.5V
Nbre de broches
5 broches
Type de canal
Canal N
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Courant de drain de tension de Grille zéro max.
32mA
Type de boîtier de transistor
MCPH
Température de fonctionnement max..
150°C
Montage transistor
Montage en surface
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001361
Traçabilité des produits