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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 54 semaine(s)
Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
6000+ | 0,363 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 6000
Multiple: 6000
2 178,00 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNSS35200CF8T1G
Code Commande3615538
Fiche technique
Polarité transistorPNP
Tension Collecteur Emetteur Max35V
Courant Collecteur Continu2A
Dissipation de puissance2.75W
Type de boîtier de transistorChipFET
Montage transistorMontage en surface
Nbre de broches8Broche(s)
Fréquence de transition100MHz
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Remarques
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Spécifications techniques
Polarité transistor
PNP
Courant Collecteur Continu
2A
Type de boîtier de transistor
ChipFET
Nbre de broches
8Broche(s)
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Collecteur Emetteur Max
35V
Dissipation de puissance
2.75W
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition
100MHz
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.1
Traçabilité des produits