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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNSR05F30NXT5G
Code Commande2317598
Gamme de produitNSR05
Fiche technique
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive30V
Courant direct moyen500mA
Tension directe max430mV
Courant de surtension vers l'avant10A
Température d'utilisation Max.150°C
Type de boîtier de diode0402
Nbre de broches2Broche(s)
Temps de redressement en inverse-
Type de montage de diodeMontage en surface
Gamme de produitNSR05
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The NSR05F30NXT5G is a Schottky Barrier Diode, optimized for low forward voltage drop and low leakage current and are offered in a chip scale package (CSP) to reduce board space. The low thermal resistance enables designers to meet the challenging task of achieving higher efficiency and meeting reduced space requirements.
- Low forward voltage drop
- Low reverse current
- High switching speed
- Halogen-free
Spécifications techniques
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
500mA
Courant de surtension vers l'avant
10A
Type de boîtier de diode
0402
Temps de redressement en inverse
-
Gamme de produit
NSR05
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension inverse crête répétitive
30V
Tension directe max
430mV
Température d'utilisation Max.
150°C
Nbre de broches
2Broche(s)
Type de montage de diode
Montage en surface
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00064
Traçabilité des produits