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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 28 semaine(s)
Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
800+ | 1,020 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 800
Multiple: 800
816,00 € (sans TVA)
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNRVUB1620CTRT4G
Code Commande3606305
Fiche technique
Tension inverse crête répétitive200V
Courant direct moyen16A
Configuration diodeDouble anode commune
Tension directe max1.2V
Temps de redressement en inverse85ns
Courant de surtension vers l'avant100A
Température de fonctionnement max..175°C
Type de boîtier de diodeTO-263 (D2PAK)
Nombre de broches3Broche(s)
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Tension inverse crête répétitive
200V
Configuration diode
Double anode commune
Temps de redressement en inverse
85ns
Température de fonctionnement max..
175°C
Nombre de broches
3Broche(s)
Qualification
AEC-Q101
Courant direct moyen
16A
Tension directe max
1.2V
Courant de surtension vers l'avant
100A
Type de boîtier de diode
TO-263 (D2PAK)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.1
Traçabilité des produits