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NCP51705SMDGEVB
Carte d'évaluation, NCP51705, MOSFET SiC
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantNCP51705SMDGEVB
Code Commande3588837
Fiche technique
Silicon FabricantOn Semiconductor
Nombre de noyau de siliciumNCP51705
Type de kit d'applicationGestion d'alimentation
Application Sous TypeMOSFET SiC
Contenu du kitCarte d'évaluation NCP51705
Gamme de produit-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Aperçu du produit
Application daughter-card for NCP51705 SiC MOSFET driver The EVB is designed on a four layer PCB and includes the NCP51705 driver and all the necessary drive circuitry. The EVB also includes an on−board digital isolator and the ability to solder any MOSFET or SiC MOSFET in a TO-247 high voltage package. The mini board brings versatility in usage means EVB can be used in current or new designs (prototypes).
- EVB does not include a power stage
- Can be used in any low−side or high−side power switching application
- For bridge configurations 2or more of these EVBs can be configured in totem pole drive configuration
Spécifications techniques
Silicon Fabricant
On Semiconductor
Type de kit d'application
Gestion d'alimentation
Contenu du kit
Carte d'évaluation NCP51705
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Nombre de noyau de silicium
NCP51705
Application Sous Type
MOSFET SiC
Gamme de produit
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Slovenia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Slovenia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.2