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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMURB1620CTRT4G
Code Commande2533167
Gamme de produitMURB1
Fiche technique
Tension inverse crête répétitive200V
Courant direct moyen16A
Configuration diodeDouble anode commune
Tension directe max1.2V
Temps de redressement en inverse-
Courant de surtension vers l'avant16A
Température de fonctionnement max..175°C
Type de boîtier de diodeTO-263 (D2PAK)
Nombre de broches3Broche(s)
Gamme de produitMURB1
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Tension inverse crête répétitive
200V
Configuration diode
Double anode commune
Temps de redressement en inverse
-
Température de fonctionnement max..
175°C
Nombre de broches
3Broche(s)
Qualification
-
Courant direct moyen
16A
Tension directe max
1.2V
Courant de surtension vers l'avant
16A
Type de boîtier de diode
TO-263 (D2PAK)
Gamme de produit
MURB1
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0162
Traçabilité des produits