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MUN5214DW1T1G
Transistor num./pré-polarisé bipolaire, BRT, Double NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 500+ | 0,0552 € |
| 1000+ | 0,0455 € |
| 5000+ | 0,0333 € |
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Minimum: 500
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMUN5214DW1T1G
Code Commande2464151RL
Fiche technique
Polarité transistorDouble NPN
Tension Collecteur Emetteur Max NPN50V
Tension Collecteur Emetteur Max PNP-
Courant Collecteur Continu100mA
Résistance base R110kohm
Résistance Base-Emetteur R247kohm
Type de boîtier de transistorSOT-363
Nbre de broches6 broches
Montage transistorMontage en surface
Dissipation de puissance385mW
Température de fonctionnement max..150°C
Gain de courant DC hFE Min80hFE
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Polarité transistor
Double NPN
Tension Collecteur Emetteur Max PNP
-
Résistance base R1
10kohm
Type de boîtier de transistor
SOT-363
Montage transistor
Montage en surface
Température de fonctionnement max..
150°C
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Collecteur Emetteur Max NPN
50V
Courant Collecteur Continu
100mA
Résistance Base-Emetteur R2
47kohm
Nbre de broches
6 broches
Dissipation de puissance
385mW
Gain de courant DC hFE Min
80hFE
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour MUN5214DW1T1G
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits