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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBTH10LT1G
Code Commande1459112
Gamme de produitMMBTxxxx
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur Emetteur Max25V
Fréquence de transition650MHz
Dissipation de puissance225mW
Courant Collecteur Continu4mA
Type de boîtier de transistorSOT-23
Nbre de broches3Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min.60hFE
Montage transistorMontage en surface
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitMMBTxxxx
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le MMBTH10LT1G est un transistor VHF/UHF NPN en silicium conçu pour des exigences de changement de site et de contrôle uniques. Ce transistor est compatible PPAP et qualifié AEC-Q101.
- Sans halogène
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Fréquence de transition
650MHz
Courant Collecteur Continu
4mA
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
MMBTxxxx
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Collecteur Emetteur Max
25V
Dissipation de puissance
225mW
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Gain de courant DC hFE Min.
60hFE
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000309
Traçabilité des produits