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MMBFJ310LT3G
Transistor JFET, 25 V, 60 mA, 25 V, SOT-23, 3 broches, 150 °C
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,223 € |
| 50+ | 0,135 € |
| 250+ | 0,106 € |
| 1000+ | 0,0953 € |
| 5000+ | 0,0942 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBFJ310LT3G
Code Commande2627983
Fiche technique
Tension de claquage Source Grille max.25V
Courant de drain de tension de Grille zéro max.60mA
Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min24mA
Tension de coupure Source Grille max.25V
Type de boîtier de transistorSOT-23
Nbre de broches3 broches
Température d'utilisation Max.150°C
Type de transistorJFET
Type de canalCanal N
Montage transistorMontage en surface
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Tension de claquage Source Grille max.
25V
Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min
24mA
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Température d'utilisation Max.
150°C
Type de canal
Canal N
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Courant de drain de tension de Grille zéro max.
60mA
Tension de coupure Source Grille max.
25V
Nbre de broches
3 broches
Type de transistor
JFET
Montage transistor
Montage en surface
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00001
Traçabilité des produits