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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBFJ309LT1G
Code Commande1431339RL
Fiche technique
Tension de claquage Source Grille max.-25V
Courant de drain de tension de Grille zéro max.30mA
Tension de coupure Source Grille max.-4V
Type de boîtier de transistorSOT-23
Nbre de broches3 broches
Température de fonctionnement max..150°C
Type de canalCanal N
Montage transistorMontage en surface
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le MMBFJ309LT1G est un JFET à canal N conçu pour les amplificateurs et oscillateurs haute fréquence. Le composant offre un drain et une source interchangeables, un boîtier pour montage en surface peu encombrant. Faible RDS (On) offrant une plus grande efficacité et prolonge la durée de vie de la batterie
- Tension drain-source 25VDC
- Tension grille-source 25VDC
- Courant de grille 10mA
Spécifications techniques
Tension de claquage Source Grille max.
-25V
Tension de coupure Source Grille max.
-4V
Nbre de broches
3 broches
Type de canal
Canal N
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Courant de drain de tension de Grille zéro max.
30mA
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Température de fonctionnement max..
150°C
Montage transistor
Montage en surface
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001058
Traçabilité des produits