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MMBF170LT1G
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 500 mA, 5 ohm, SOT-23, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,286 € |
| 50+ | 0,167 € |
| 100+ | 0,0701 € |
| 500+ | 0,0657 € |
| 1500+ | 0,0613 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMMBF170LT1G
Code Commande1431321
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id500mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON5ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance225mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
Le MMBF170LT1G est un MOSFET de puissance, canal N avec une tension Drain-Source de 60 VDC et un courant de drain de 500mA.
- Conforme à la norme AEC-Q101 pour le secteur automobile
- Capacité PPAP
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
500mA
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
225mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
5ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000008
Traçabilité des produits