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MJD6039T4G
Transistor Darlington, Darlington, NPN, 80 V, 20 W, 4 A, TO-252 (DPAK), 3 Broche(s)
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|---|---|
| 100+ | 0,465 € |
| 500+ | 0,355 € |
| 1000+ | 0,344 € |
| 5000+ | 0,333 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 5
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJD6039T4G
Code Commande2774792RL
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur Emetteur Max80V
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo80V
Courant Collecteur Continu4A
Dissipation de puissance Pd20W
Courant de collecteur DC4A
Dissipation de puissance20W
Boîtier de transistor RFTO-252 (DPAK)
Nbre de broches3Broche(s)
Gain en courant DC hFE2500hFE
Montage transistorMontage en surface
Température d'utilisation Max.150°C
Gain de courant DC hFE Min.1000hFE
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
80V
Dissipation de puissance Pd
20W
Dissipation de puissance
20W
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
Gain de courant DC hFE Min.
1000hFE
Qualification
-
Tension Collecteur Emetteur Max
80V
Courant Collecteur Continu
4A
Courant de collecteur DC
4A
Boîtier de transistor RF
TO-252 (DPAK)
Gain en courant DC hFE
2500hFE
Température d'utilisation Max.
150°C
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000426
Traçabilité des produits