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MJD117T4G
Transistor Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Broche(s)
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,487 € |
| 500+ | 0,379 € |
| 1000+ | 0,344 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantMJD117T4G
Code Commande2845303RL
Fiche technique
Polarité transistorPNP
Tension Collecteur Emetteur Max100V
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo100V
Dissipation de puissance Pd20W
Courant Collecteur Continu2A
Courant de collecteur DC2A
Dissipation de puissance1.75W
Boîtier de transistor RFTO-252 (DPAK)
Nbre de broches4Broche(s)
Gain en courant DC hFE200hFE
Montage transistorMontage en surface
Température d'utilisation Max.150°C
Gain de courant DC hFE Min.200hFE
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Polarité transistor
PNP
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
100V
Courant Collecteur Continu
2A
Dissipation de puissance
1.75W
Nbre de broches
4Broche(s)
Montage transistor
Montage en surface
Gain de courant DC hFE Min.
200hFE
Qualification
-
Tension Collecteur Emetteur Max
100V
Dissipation de puissance Pd
20W
Courant de collecteur DC
2A
Boîtier de transistor RF
TO-252 (DPAK)
Gain en courant DC hFE
200hFE
Température d'utilisation Max.
150°C
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour MJD117T4G
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000426
Traçabilité des produits