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Quantité | Prix (hors TVA) |
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5+ | 0,610 € |
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100+ | 0,283 € |
500+ | 0,215 € |
1000+ | 0,190 € |
5000+ | 0,149 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantJ109-D26Z
Code Commande3368703
Fiche technique
Tension de claquage Source Grille max.25V
Courant de drain de tension de Grille zéro max.-
Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min40mA
Tension de coupure Source Grille max.6V
Type de boîtier de transistorTO-92
Nbre de broches3 broches
Température d'utilisation Max.150°C
Type de transistorJFET
Type de canalCanal N
Montage transistorTraversant
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Tension de claquage Source Grille max.
25V
Tension Zéro Gate Courant drain Idss Min
40mA
Type de boîtier de transistor
TO-92
Température d'utilisation Max.
150°C
Type de canal
Canal N
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Courant de drain de tension de Grille zéro max.
-
Tension de coupure Source Grille max.
6V
Nbre de broches
3 broches
Type de transistor
JFET
Montage transistor
Traversant
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004