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IRFM120ATF
MOSFET de puissance, Canal N, 100 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-223, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 0,781 € |
| 10+ | 0,563 € |
| 100+ | 0,402 € |
| 500+ | 0,297 € |
| 1000+ | 0,261 € |
| 5000+ | 0,233 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantIRFM120ATF
Code Commande2453922
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..100V
Courant de drain Id2.3A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.2ohm
Type de boîtier de transistorSOT-223
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance2.4W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
2.3A
Type de boîtier de transistor
SOT-223
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
2.4W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Vds max..
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.2ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :South Korea
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000188
Traçabilité des produits