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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantGBU4M
Code Commande1700174
Gamme de produitGBU4M
Fiche technique
Nombre de phasesMonophasé
Tension inverse crête répétitive1kV
Courant direct moyen4A
Type de boîtier de pont redresseurSIP
Nbre de broches4Broche(s)
Tension directe max1V
Montage pont redresseurTraversant
Courant de surtension vers l'avant150A
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitGBU4M
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
La GBU4M est une diode de redressement monophasé avec 4 broches , qui offre une construction fiable en utilisant une technique de moulage en plastique. Il possède une jonction passivée avec du verre et est idéal pour les circuits imprimés.
- Indice de surcharge de 150A
- Tension d'entrée RMS maximum 700V
- Gamme de température de jonction de -55 à 150°C
Spécifications techniques
Nombre de phases
Monophasé
Courant direct moyen
4A
Nbre de broches
4Broche(s)
Montage pont redresseur
Traversant
Température d'utilisation Max.
150°C
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension inverse crête répétitive
1kV
Type de boîtier de pont redresseur
SIP
Tension directe max
1V
Courant de surtension vers l'avant
150A
Gamme de produit
GBU4M
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour GBU4M
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004
Traçabilité des produits