Imprimer la page
1 062 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 3,490 € |
| 10+ | 3,440 € |
| 100+ | 1,970 € |
| 500+ | 1,610 € |
| 1000+ | 1,510 € |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
3,49 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQP47P06
Code Commande2575367
Gamme de produitQFET
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Vds max..60V
Courant de drain Id47A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.021ohm
Type de boîtier de transistorTO-220
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance160W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produitQFET
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The FQP47P06 is a -60V P-channel QFET® MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control and variable switching power applications.
- Low gate charge (typical 84nC)
- Low Crss (typical 320pF)
- 100% avalanche tested
- ±25V gate to source voltage
- 62.5°C/W thermal resistance, junction to ambient
- 0.94°C/W thermal resistance, junction to case
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
47A
Type de boîtier de transistor
TO-220
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
160W
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Vds max..
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.021ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
QFET
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002041
Traçabilité des produits