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| 10+ | 0,615 € |
| 100+ | 0,426 € |
| 500+ | 0,357 € |
| 1000+ | 0,325 € |
| 5000+ | 0,270 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQD7N20LTM
Code Commande3368808
Gamme de produitQFET
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..200V
Courant de drain Id5.5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.59ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance45W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produitQFET
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
5.5A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
45W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
Tension Vds max..
200V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.59ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
QFET
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits