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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,774 € |
| 500+ | 0,598 € |
| 1000+ | 0,548 € |
| 5000+ | 0,496 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQD2N90TM
Code Commande3003924RL
Gamme de produitQFET
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..900V
Courant de drain Id1.7A
Résistance Drain-Source à l'état-ON5.6ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance50W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produitQFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
1.7A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
50W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Vds max..
900V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
5.6ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
5V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
QFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0005
Traçabilité des produits