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| 500+ | 0,521 € |
| 1000+ | 0,475 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQD17P06TM
Code Commande2575363RL
Gamme de produitQFET
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Vds max..60V
Courant de drain Id12A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.11ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance2.5W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produitQFET
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
12A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
2.5W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Vds max..
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.11ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
QFET
MSL
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FQD17P06TM
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000426
Traçabilité des produits