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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQD11P06TM
Code Commande2575362
Gamme de produitQFET
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Vds max..60V
Courant de drain Id9.4A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.15ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance2.5W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produitQFET
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Remarques
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
9.4A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
2.5W
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Vds max..
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.15ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
QFET
MSL
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001512
Traçabilité des produits