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| 10+ | 1,540 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQB55N10TM
Code Commande2825191
Gamme de produitQFET
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..100V
Courant de drain Id55A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.021ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance155W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produitQFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
55A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
155W
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension Vds max..
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.021ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
QFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FQB55N10TM
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002051
Traçabilité des produits