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Quantité | Prix (hors TVA) |
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1000+ | 0,972 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFQB44N10TM
Code Commande3368801RL
Gamme de produitQFET
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Vds max..100V
Courant de drain Id43.5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.03ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance146W
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..175°C
Gamme de produitQFET
Qualification-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
43.5A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
146W
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
-
Tension Vds max..
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.03ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
QFET
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0004
Traçabilité des produits