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FGA60N65SMD
IGBT, 120 A, 1.9 V, 600 W, 650 V, TO-3PN, 3 Broche(s)
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|---|---|
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| 10+ | 4,570 € |
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| 500+ | 3,700 € |
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFGA60N65SMD
Code Commande2825136
Fiche technique
Courant Collecteur Continu120A
Tension de saturation Emetteur Collecteur1.9V
Dissipation de puissance600W
Tension Collecteur Emetteur Max650V
Type de boîtier de transistorTO-3PN
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Montage transistorTraversant
Gamme de produit-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
120A
Dissipation de puissance
600W
Type de boîtier de transistor
TO-3PN
Température d'utilisation Max.
175°C
Gamme de produit
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Tension de saturation Emetteur Collecteur
1.9V
Tension Collecteur Emetteur Max
650V
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.007439
Traçabilité des produits