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FFSP2065BDN-F085
Diode Schottky carbure de silicium, EliteSiC, EliteSiC Series, Double cathode commune, 650 V, 20 A
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FabricantONSEMI
Réf. FabricantFFSP2065BDN-F085
Code Commande3236703
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
15 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | 5,500 € |
| 10+ | 3,480 € |
| 100+ | 3,290 € |
| 500+ | 3,040 € |
| 1000+ | 2,980 € |
Prix pour :Pièce
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFFSP2065BDN-F085
Code Commande3236703
Gamme de produitEliteSiC Series
Fiche technique
Gamme de produitEliteSiC Series
Configuration diodeDouble cathode commune
Tension inverse crête répétitive650V
Courant direct moyen20A
Charge Capacitive Totale25nC
Type de boîtier de diodeTO-220
Nbre de broches3 broches
Température de fonctionnement max..175°C
Type de montage de diodeTraversant
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Gamme de produit
EliteSiC Series
Tension inverse crête répétitive
650V
Charge Capacitive Totale
25nC
Nbre de broches
3 broches
Type de montage de diode
Traversant
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Configuration diode
Double cathode commune
Courant direct moyen
20A
Type de boîtier de diode
TO-220
Température de fonctionnement max..
175°C
Qualification
AEC-Q101
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0001