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1000+ | 0,407 € |
Informations produit
Aperçu du produit
Le FDS6680A est un MOSFET PowerTrench® en niveau logique, canal N de 30V. Il est spécialement conçu pour minimiser la résistance à l'état passant et maintenir une charge de grille faible pour des performances de commutation supérieures. Le dernier MOSFET de puissance moyenne tension est constitué d'interrupteurs de puissance optimisés combinant une charge de grille faible (QG), une faible charge de récupération inverse (Qrr) et une diode souple de récupération inverse, permettant une commutation synchrone dans les alimentations AC/DC. Il utilise une structure à grille blindée qui fournit un équilibre de charge. En utilisant cette technologie de pointe, le FOM (facteur de mérite (QGxRDS (ON) de ces appareils est de 66% inférieur à celui de la génération précédente. La performance des diodes à corps mou du nouveau MOSFET PowerTrench® permet d'éliminer le circuit d'amortissement ou de remplacer les circuits qui ont besoin d'une tension MOSFET plus élevée car il peut minimiser les pointes de tension indésirables dans le redressement synchrone. Ce produit est recommandé pour un usage général et convient à de nombreuses applications différentes.
- Technologie Trench haute performance pour un avoir un RDS(ON) extrêmement faible
- Haute puissance et capacité de traitement du courant
- Charge de grille ultra-faible
Spécifications techniques
Canal N
12.5A
SOIC
10V
2.5W
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
30V
0.0095ohm
Montage en surface
2V
8Broche(s)
-
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour FDS6680A
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Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
Certificat de conformité du produit