FDS6675BZ

Le FDS6675BZ est un MOSFET PowerTrench®, canal P de -30V. Il est spécialement conçu pour minimiser la résistance à l'état passant et maintenir une charge de grille faible pour des performances de commutation supérieures. Le dernier MOSFET de puissance moyenne tension est constitué d'interrupteurs de puissance optimisés combinant une charge de grille faible (QG), une faible charge de récupération inverse (Qrr) et une diode souple de récupération inverse, permettant une commutation synchrone dans les alimentations AC/DC. Il utilise une structure à grille blindée qui fournit un équilibre de charge. En utilisant cette technologie de pointe, le FOM (facteur de mérite (QGxRDS (ON) de ces appareils est de 66% inférieur à celui de la génération précédente. La performance des diodes à corps mou du nouveau MOSFET PowerTrench® permet d'éliminer le circuit d'amortissement ou de remplacer les circuits qui ont besoin d'une tension MOSFET plus élevée car il peut minimiser les pointes de tension indésirables dans le redressement synchrone. Ce produit est recommandé pour un usage général et convient à de nombreuses applications différentes.

• Gamme VGSS étendue (-25V) pour les applications sur batterie
• Niveau de protection ESD HBM de ±5.4kV typique
• Technologie Trench haute performance pour un avoir un RDS(on) extrêmement faible
• Haute puissance et capacité de traitement du courant