Imprimer la page
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
10 445 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS le jour ouvré suivant
Commandez avant 17h00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de 0,00 € et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
5+ | 1,280 € |
50+ | 0,927 € |
100+ | 0,648 € |
500+ | 0,509 € |
1000+ | 0,463 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
6,40 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDS4935A
Code Commande1467981
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain Source Vds, Canal N-
Tension drain source Vds, Canal P30V
Courant de drain continu Id, Canal N-
Courant de drain continu Id, Canal P7A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.023ohm
Type de boîtier de transistorSOIC
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P-
Dissipation de puissance, Canal P2W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
The FDS4935A is a dual P-channel PowerTrench® MOSFET rugged gate version of advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gate drive voltage ratings (4.5V to 20V). It is suitable for load-switch and battery protection applications.
- Fast switching speed
- Low gate charge
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- High power and current handling capability
- ±20V Gate to source voltage
- -7A Continuous drain current
- -30A Pulsed drain current
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Tension drain source Vds, Canal P
30V
Courant de drain continu Id, Canal P
7A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.023ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
2W
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
-
Courant de drain continu Id, Canal N
-
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
-
Type de boîtier de transistor
SOIC
Dissipation de puissance Canal P
-
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000335
Traçabilité des produits