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FDP8440
MOSFET de puissance, Canal N, 40 V, 277 A, 2200 µohm, TO-220, Traversant
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Modèle arrêté
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDP8440
Code Commande3616146
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id277A
Résistance Drain-Source à l'état-ON2200µohm
Type de boîtier de transistorTO-220
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance306W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
277A
Type de boîtier de transistor
TO-220
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
306W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
2200µohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (15-Jan-2018)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.1
Traçabilité des produits