FDN352AP
MOSFET de puissance, Canal P, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 3000+ | 0,123 € |
| 9000+ | 0,122 € |
Informations produit
Aperçu du produit
Le FDN352AP est un MOSFET niveau logique, canal P produit avec le procédé avancé Power Trench® de. Il est spécialement conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant une charge de grille faible pour des performances de commutation supérieures. Ce composant est bien adapté aux applications basse tension et alimentées par des batteries où une faible perte de puissance en ligne est nécessaire dans un très petit boîtier CMS
- Technologie Trench haute performance pour un avoir un RDS(on) extrêmement faible
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Canal P
1.3A
SuperSOT
10V
500mW
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
30V
0.18ohm
Montage en surface
2V
3Broche(s)
-
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
Certificat de conformité du produit