Imprimer la page
FDN340P
MOSFET de puissance, Canal P, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SuperSOT, Montage en surface
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
87 000 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 3000+ | 0,116 € |
| 9000+ | 0,0992 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bobine complète)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
348,00 € (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN340P
Code Commande2438445
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Vds max..20V
Courant de drain Id2A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.11ohm
Type de boîtier de transistorSuperSOT
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max800mV
Dissipation de puissance500mW
Nombre de broches3Broche(s)
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le FDN340P est un MOSFET PowerTrench -20V Simple, Canal P, 2.5V en boîtier SOT-23. Ce MOSFET est produit en utilisant le processus PowerTrench qui minimise la résistance à l'état ON et maintien une faible charge de porte pour offrir des performances de commutation supérieures. Applicable aux produits électroniques portables, à la commutation de charge, à la gestion d'alimentation, aux circuits de charge de batterie et à la conversion DC/DC
- Conception avec technologie Trench haute performance pour un RDS(On) extrêmement faible
- Faible charge de grille de 7.2 nC Typique
- Tension Drain/Source (Vds) de -20V
- Tension Grille-Source de ±8V
- Courant Drain continu de -2A
- Dissipation de puissance Pd 500mW
- Plage de température d'utilisation de -55°C à 150°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
2A
Type de boîtier de transistor
SuperSOT
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
500mW
Température de fonctionnement max..
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Vds max..
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.11ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
800mV
Nombre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits