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FDN335N
MOSFET de puissance, Canal N, 20 V, 1.7 A, 0.07 ohm, SOT-23, Montage en surface
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76 060 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,247 € |
| 500+ | 0,198 € |
| 1000+ | 0,175 € |
| 5000+ | 0,137 € |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
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Informations produit
FabricantONSEMI
Réf. FabricantFDN335N
Code Commande9845348RL
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id1.7A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.07ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max900mV
Dissipation de puissance500mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
1.7A
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
500mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.07ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
900mV
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000037
Traçabilité des produits